TLC272BIDR

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TLC272BIDR概述

LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

精密 LinCMOS


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLC272BIDR


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC272BIDR 双, 1.7MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压, 8引脚


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 2-MHz, 2-mV offset voltage, In to V- operational amplifier


贸泽:
Precision Amplifiers LinCMOS Precision Dual Op Amp


艾睿:
Increase functionality to your instrumentation with this general purpose amplifier TLC272BIDR OP amp from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 725 mW. This op amp has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. This device is made with linCMOS technology. It has 2 channels per chip. This device uses a single power supply.


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierLinCMOS<TM> Precision Dual Operational Amplifier OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
IC OPAMP GP 2.2MHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC


TLC272BIDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 1.4 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 0.06 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1.7 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 3V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLC272BIDR引脚图与封装图
TLC272BIDR引脚图
TLC272BIDR封装图
TLC272BIDR封装焊盘图
在线购买TLC272BIDR
型号: TLC272BIDR
制造商: TI 德州仪器
描述:LinCMOS 运算放大器 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLC272BIDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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