TJ15P04M3,RQS参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TJ15P04M3,RQS概述

MOSFET P-Ch MOS 1100pF 29W PD -15A -40V

P-Channel 40V 15A Ta 29W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK

贸泽:
MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin2+Tab DPAK

安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin2+Tab DPAK

TJ15P04M3,RQS中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 48 mΩ

耗散功率 29 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1100pF @10VVds

下降时间 42 ns

耗散功率Max 29W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TJ15P04M3,RQS

型号： TJ15P04M3,RQS

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET P-Ch MOS 1100pF 29W PD -15A -40V