TIP111参数规格_中文资料_数据手册PDF

TIP111概述

整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 2A 25MHz 50W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 2A TO220-3

艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk

TIP111中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP111

型号： TIP111

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

替代型号TIP111