TLE2161IDRG4参数规格_中文资料_数据手册PDF

TLE2161IDRG4概述

运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated

J-FET 放大器 1 电路 - 8-SOIC

得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

立创商城:
TLE2161IDRG4

贸泽:
运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated

艾睿:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R

Chip1Stop:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R

Verical:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R

德州仪器TI:
JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier

TLE2161IDRG4中文资料参数规格

技术参数

供电电流 290 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 5.80 MHz

转换速率 10.0 V/μs

增益频宽积 6.4 MHz

输入补偿电压 3.1 mV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLE2161IDRG4引脚图与封装图

在线购买TLE2161IDRG4

型号： TLE2161IDRG4

制造商： TI 德州仪器

描述：运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated

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替代型号TLE2161IDRG4

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