TK2P60DTE16L1,NQ概述
MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4Ω
表面贴装型 N 通道 2A（Ta） 60W（Tc） PW-MOLD
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TK2P60DTE16L1,NQ
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MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
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TK2P60DTE16L1,NQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.3 Ω
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 7 ns
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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