TK4P55DAT6RSS-Q

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TK4P55DAT6RSS-Q概述

DPAK N-CH 550V 3.5A

表面贴装型 N 通道 550 V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak


得捷:
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 3.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3


TK4P55DAT6RSS-Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 80W Tc

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 380pF @25VVds

下降时间 7 ns

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK4P55DAT6RSS-Q
型号: TK4P55DAT6RSS-Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:DPAK N-CH 550V 3.5A

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