TK20S04K3LT6L1,NQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK20S04K3LT6L1,NQ概述

New N-CH 40V 20A

表面贴装型 N 通道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+

得捷:
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin2+Tab New PW-Mold T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

TK20S04K3LT6L1,NQ中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 38 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 820pF @10VVds

下降时间 24 ns

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK20S04K3LT6L1,NQ

型号： TK20S04K3LT6L1,NQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：New N-CH 40V 20A