TJ20S04M3LT6L1,NQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TJ20S04M3LT6L1,NQ概述

New P-CH 40V 20A

表面贴装型 P 通道 40 V 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+

得捷:
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3

TJ20S04M3LT6L1,NQ中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 41W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1850pF @10VVds

下降时间 90 ns

耗散功率Max 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TJ20S04M3LT6L1,NQ

型号： TJ20S04M3LT6L1,NQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：New P-CH 40V 20A