TJ10S04M3LT6L1,NQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TJ10S04M3LT6L1,NQ概述

New P-CH 40V 10A

P-Channel 40V 10A Ta 27W Tc Surface Mount DPAK+

得捷:
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 10A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3

TJ10S04M3LT6L1,NQ中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 27W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 10A

输入电容Ciss 930pF @10VVds

耗散功率Max 27W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： TJ10S04M3LT6L1,NQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：New P-CH 40V 10A