TK10E60W,S1VXS

TK10E60W,S1VXS图片1
TK10E60W,S1VXS图片2
TK10E60W,S1VXS图片3
TK10E60W,S1VXS图片4
TK10E60W,S1VXS图片5
TK10E60W,S1VXS图片6
TK10E60W,S1VXS图片7
TK10E60W,S1VXS图片8
TK10E60W,S1VXS图片9
TK10E60W,S1VXS图片10
TK10E60W,S1VXS图片11
TK10E60W,S1VXS图片12
TK10E60W,S1VXS图片13
TK10E60W,S1VXS图片14
TK10E60W,S1VXS图片15
TK10E60W,S1VXS图片16
TK10E60W,S1VXS图片17
TK10E60W,S1VXS概述

MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET ,


欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10E60W,S1VXS, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-220


儒卓力:
**N-CH 600V 9,7A 0,38mOhm TO220-3 **


TK10E60W,S1VXS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 700pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TK10E60W,S1VXS
型号: TK10E60W,S1VXS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台