TK6A45DASTA4,Q,M

TK6A45DASTA4,Q,M图片1
TK6A45DASTA4,Q,M图片2
TK6A45DASTA4,Q,M图片3
TK6A45DASTA4,Q,M概述

TO-220SIS N-CH 450V 5.5A

N-Channel 450V 5.5A Ta Through Hole TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 450V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


安富利:
Trans MOSFET N-CH 450V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS


TK6A45DASTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 450 V

连续漏极电流Ids 5.5A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

下降时间 8 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK6A45DASTA4,Q,M
型号: TK6A45DASTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220SIS N-CH 450V 5.5A

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司