TK4P60DBT6RSS-Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK4P60DBT6RSS-Q概述

DPAK N-CH 600V 3.7A

表面贴装型 N 通道 3.7A（Ta） 80W（Tc） D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TK4P60DBT6RSS-Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 80W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.7A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

下降时间 8 ns

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK4P60DBT6RSS-Q引脚图与封装图

在线购买TK4P60DBT6RSS-Q

型号： TK4P60DBT6RSS-Q

制造商： Toshiba 东芝

描述：DPAK N-CH 600V 3.7A