TK6P53DT6RSS-Q概述
DP N-CH 525V 6A
表面贴装型 N 通道 6A（Ta） 100W（Tc） D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin2+Tab Case DP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin2+Tab Case DP T/R
TK6P53DT6RSS-Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 525 V
漏源击穿电压 525 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 600pF @25VVds
下降时间 8 ns
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买TK6P53DT6RSS-Q