TLE2062ACDR

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TLE2062ACDR概述

神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC


艾睿:
To increase the amount of gain in your circuit use a multiple number of this general purpose amplifier TLE2062ACDR OP amp from Texas Instruments in a cascaded fashion. Its typical dual supply voltage is ±5|±9|±12|±15 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±18 V. This op amp has a temperature range of 0 °C to 70 °C. This device utilizes bifet technology. It has 2 channels per chip. This device uses dual power supplies.


安富利:
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
High Output CurrentExcalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Dual Operational Amplifier OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual High Output Current Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP JFET 2MHZ 8SOIC


TLE2062ACDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 625 µA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 1.80 MHz

转换速率 3.40 V/μs

增益频宽积 2 MHz

输入补偿电压 800 µV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 2 MHz

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLE2062ACDR引脚图与封装图
TLE2062ACDR引脚图
TLE2062ACDR封装图
TLE2062ACDR封装焊盘图
在线购买TLE2062ACDR
型号: TLE2062ACDR
制造商: TI 德州仪器
描述:神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLE2062ACDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLE2062ACDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLE2062AMDG4

德州仪器

完全替代

TLE2062ACDR和TLE2062AMDG4的区别

TLE2062CD

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