TIP3055G

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TIP3055G概述

ON SEMICONDUCTOR  TIP3055G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 90 W, 15 A, 5 hFE 新

- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 15 A 2.5MHz 90 W 通孔 TO-247-3


得捷:
TRANS NPN 60V 15A TO247-3


欧时:
ON Semiconductor, TIP3055G


立创商城:
TIP3055G


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  TIP3055G.  射频双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 90000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 60VDC; IC 15A; PD 90W; SOT-93 TO-218; hFE 5


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin3+Tab SOT-93 Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 90W; TO247-3


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 90000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  TIP3055G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 90 W, 15 A, 70 hFE


TIP3055G中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 15.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 90 W

集电极击穿电压 70.0 V

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 1.39℃/W RθJC

集电极最大允许电流 15A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 90 W

直流电流增益hFE 5

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 90000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 4.9 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP3055G
型号: TIP3055G
描述:ON SEMICONDUCTOR  TIP3055G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 90 W, 15 A, 5 hFE 新
替代型号TIP3055G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TIP3055G

ON Semiconductor 安森美

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TIP3055

意法半导体

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TIP3055G和TIP3055的区别

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