TK4A60DSTA4,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK4A60DSTA4,Q,M概述

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin3+Tab TO-220NIS

N-Channel 600V 4A Ta 35W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS

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TK4A60DSTA4,Q,M

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TK4A60DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 600pF @25VVds

下降时间 8 ns

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK4A60DSTA4,Q,M引脚图与封装图

在线购买TK4A60DSTA4,Q,M

型号： TK4A60DSTA4,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin3+Tab TO-220NIS