TK6A53DSTA4,Q,M

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TK6A53DSTA4,Q,M概述

TO-220SIS N-CH 525V 6A

N-Channel 525V 6A Ta 35W Tc Through Hole TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


TK6A53DSTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 525 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 600pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK6A53DSTA4,Q,M
型号: TK6A53DSTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220SIS N-CH 525V 6A

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