单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
表面贴装型 P 通道 15 V 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
立创商城:
P沟道 15V 1.6A
德州仪器TI:
Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET
贸泽:
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
力源芯城:
单路P沟道增强方式MOSFET
Win Source:
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
通道数 1
极性 P-Channel
耗散功率 0.791 W
漏源极电压Vds 15 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 10 ns
额定功率Max 791 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 791mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TPS1100DR TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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