TK8A45DSTA4,Q,M

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TK8A45DSTA4,Q,M概述

TO-220SIS N-CH 450V 8A

通孔 N 通道 8A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS


TK8A45DSTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 450 V

漏源击穿电压 450 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 700pF @25VVds

额定功率Max 35 W

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK8A45DSTA4,Q,M
型号: TK8A45DSTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220SIS N-CH 450V 8A

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