TK8A50DASTA4,Q,M

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TK8A50DASTA4,Q,M概述

Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3Pin3+Tab TO-220SIS

通孔 N 通道 7.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS


TK8A50DASTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 700pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK8A50DASTA4,Q,M
型号: TK8A50DASTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A 3Pin3+Tab TO-220SIS

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