TK3A65DSTA4,Q,M

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TK3A65DSTA4,Q,M概述

Trans MOSFET N-CH 650V 3A 3Pin3+Tab TO-220SIS

通孔 N 通道 3A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS / N-Channel 650 V 3A Ta 35W Tc Through Hole TO-220SIS


TK3A65DSTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK3A65DSTA4,Q,M
型号: TK3A65DSTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 3A 3Pin3+Tab TO-220SIS

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