TK5A65DSTA4,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK5A65DSTA4,Q,M概述

N沟道 650V 5A

N-Channel 650V 5A Ta 40W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS

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N沟道 650V 5A

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Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

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Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

TK5A65DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 12 ns

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK5A65DSTA4,Q,M

型号： TK5A65DSTA4,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：N沟道 650V 5A