TK4A65DASTA4,Q,M

TK4A65DASTA4,Q,M图片1
TK4A65DASTA4,Q,M图片2
TK4A65DASTA4,Q,M概述

MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9Ω

通孔 N 通道 3.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220NIS


TK4A65DASTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.9 Ω

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

输入电容Ciss 600pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK4A65DASTA4,Q,M
型号: TK4A65DASTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9Ω

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台