TK16E60W,S1VXS

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TK16E60W,S1VXS概述

MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET ,


欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK16E60W,S1VXS, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin3+Tab TO-220


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin3+Tab TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin3+Tab TO-220


儒卓力:
**N-CH 600V 16A 190mOhm TO220-3 **


TK16E60W,S1VXS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 130 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1350pF @300VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 130 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TK16E60W,S1VXS
型号: TK16E60W,S1VXS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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