TJ50S06M3LT6L1,NQ

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TJ50S06M3LT6L1,NQ概述

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3Pin2+Tab DPAK T/R

P-Channel 60V 50A Ta 90W Tc Surface Mount DPAK+


得捷:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 50A Automotive 3-Pin2+Tab New PW-Mold T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**P-CH 60V 50A 10,3mOhm DPAK+ **


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK / P-Channel 60 V 50A Ta 90W Tc Surface Mount DPAK+


TJ50S06M3LT6L1,NQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 90W Tc

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 6290pF @10VVds

下降时间 195 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TJ50S06M3LT6L1,NQ
型号: TJ50S06M3LT6L1,NQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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