TJ60S04M3LT6L1,NQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TJ60S04M3LT6L1,NQ概述

New P-CH 40V 60A

表面贴装型 P 通道 40 V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+

得捷:
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

贸泽:
MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK+ T/R

TJ60S04M3LT6L1,NQ中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 90 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 96 ns

输入电容Ciss 6510pF @10VVds

下降时间 240 ns

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： TJ60S04M3LT6L1,NQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：New P-CH 40V 60A