TPS1100DG4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TPS1100DG4中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 791 mW

漏源极电压Vds 15 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 10 ns

下降时间 2 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 791mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TPS1100DG4引脚图与封装图

TPS1100DG4引脚图

TPS1100DG4封装图

TPS1100DG4封装焊盘图

在线购买TPS1100DG4

型号： TPS1100DG4

制造商： TI 德州仪器

描述：单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

替代型号TPS1100DG4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
TPS1100DG4 TI 德州仪器	当前型号	当前型号
TPS1100D 德州仪器	类似代替	TPS1100DG4和TPS1100D的区别
TPS1100DR 德州仪器	类似代替	TPS1100DG4和TPS1100DR的区别
FDS4435BZ 安森美	功能相似	TPS1100DG4和FDS4435BZ的区别