TK6P60W,RVQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK6P60W,RVQ概述

MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20NC

N-Channel 600V 6.2A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin2+Tab DPAK

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin2+Tab DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin2+Tab DPAK

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

Win Source:
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

TK6P60W,RVQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 390pF @300VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

TK6P60W,RVQ引脚图与封装图

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型号： TK6P60W,RVQ

描述：MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20NC