TPSMB8.2AHE3/52T参数规格_中文资料_数据手册PDF

TPSMB8.2AHE3/52T概述

Diode TVS Single Uni-Dir 7.02V 600W 2Pin SMB T/R

12.1V Clamp 49.6A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AA

贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 8.2V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 7.02V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 7.02V 600W 2-Pin SMB T/R

TPSMB8.2AHE3/52T中文资料参数规格

技术参数

工作电压 7.02 V

击穿电压 7.79 V

耗散功率 600 W

钳位电压 12.1 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 7.79 V

工作温度Max 185 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.57 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 185℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPSMB8.2AHE3/52T

型号： TPSMB8.2AHE3/52T

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 7.02V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号TPSMB8.2AHE3/52T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
TPSMB8.2AHE3/52T Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
P6SMB8.2A-E3/52 威世	类似代替	TPSMB8.2AHE3/52T和P6SMB8.2A-E3/52的区别
P6SMB8.2AHE3/5B 威世	类似代替	TPSMB8.2AHE3/52T和P6SMB8.2AHE3/5B的区别
P6SMB8.2AHE3/52 威世	功能相似	TPSMB8.2AHE3/52T和P6SMB8.2AHE3/52的区别