TPC8062-H,LQCM

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TPC8062-H,LQCM概述

SOP N-CH 30V 18A

表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOP


TPC8062-H,LQCM中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 2900pF @10VVds

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.68 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC8062-H,LQCM
型号: TPC8062-H,LQCM
制造商: Toshiba 东芝
描述:SOP N-CH 30V 18A

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