TK6A65DSTA4,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK6A65DSTA4,Q,M概述

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3Pin3+Tab TO-220SIS

N-Channel 650V 6A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

TK6A65DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

下降时间 10 ns

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK6A65DSTA4,Q,M引脚图与封装图

在线购买TK6A65DSTA4,Q,M

型号： TK6A65DSTA4,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3Pin3+Tab TO-220SIS