TEMT1030概述
硅光电晶体管 Silicon Phototransistor
Phototransistors 950nm Top View 2-SMD, Yoke Bend
得捷:
PHOTOTRANSISTOR 730 TO 1000 NM
贸泽:
光电晶体管 5V 100mW 880nm
艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 950nm 2-Pin SMD T/R
安富利:
Phototransistor IR Chip Silicon 950nm 2-Pin SMD T/R
Newark:
# VISHAY TEMT1030 Phototransistor, 880 nm, 30 °, 100 mW, 2 Pins, SMD
儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR SMD YOKEBEND _NO ROHS**
AMEYA360:
PHOTOTRANSISTOR 950NM 1.9MM
TEMT1030中文资料参数规格
技术参数
输出电压 70 V
击穿电压 550 V
波长 880 nm
视角 30°
峰值波长 950 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 2.3 µs
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
长度 2.5 mm
宽度 2 mm
高度 2.7 mm
封装 SMD-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16
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