TIP35CP

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TIP35CP概述

互补功率晶体管 Complementary power transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W 通孔 TO-3P


得捷:
TRANS NPN 100V 25A TO3P


立创商城:
NPN 100V 25A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Complementary power transistors


e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, 100 V, 125 W, 25 A, 10 hFE, TO-3P


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN TIP35CP GP BJT from STMicroelectronics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 100V 25A TO-3P


Win Source:
TRANS NPN 100V 25A TO3P / Bipolar BJT Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-3P


TIP35CP中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 125 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 10 @15A, 4V

额定功率Max 125 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP35CP
型号: TIP35CP
描述:互补功率晶体管 Complementary power transistors
替代型号TIP35CP
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