TK11A50DSTA4,Q,M

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TK11A50DSTA4,Q,M概述

TO-220SIS N-CH 500V 11A

N-Channel 500V 11A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS / N-Channel 500 V 11A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS


TK11A50DSTA4,Q,M中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 600 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK11A50DSTA4,Q,M
型号: TK11A50DSTA4,Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220SIS N-CH 500V 11A

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