TEST2600概述
硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor
950nm 通用 径向，侧视图
得捷:
PHOTOTRANSISTOR 850 TO 980 NM
贸泽:
光电晶体管 70V 100mW 920nm
艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin Side View Micro
Verical:
Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin Side View Micro
Newark:
# VISHAY TEST2600 Phototransistor, 920 nm, 60 °, 100 mW, 2 Pins, Side Looking
TEST2600中文资料参数规格
技术参数
波长 920 nm
视角 60°
峰值波长 920 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Side View Micro
外形尺寸
长度 3.6 mm
宽度 2.2 mm
高度 3.1 mm
封装 Side View Micro
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TEST2600引脚图与封装图 
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