TK10A55DSTA4,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK10A55DSTA4,Q,M概述

TO-220SIS N-CH 550V 10A

N-Channel 550V 10A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 10A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 10A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

TK10A55DSTA4,Q,M中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 12 ns

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK10A55DSTA4,Q,M

型号： TK10A55DSTA4,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：TO-220SIS N-CH 550V 10A