通道数 2
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 0.84 W
漏源极电压Vds 15 V
连续漏极电流Ids 1.17A
上升时间 10 ns
额定功率Max 840 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 840 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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