TPS1101D

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TPS1101D概述

MOSFET 晶体管,Texas Instruments

P 通道 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC


立创商城:
P沟道 15V 2.3A


德州仪器TI:
Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET


欧时:
Texas Instruments Si P沟道 MOSFET TPS1101D, 2.3 A, Vds=15 V, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


安富利:
Trans MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -2.3 A, -15 V, 90 mohm, -10 V, -1.25 V


力源芯城:
单路P沟道增强方式MOSFET


DeviceMart:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC


Win Source:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC


TPS1101D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -15.0 V

额定电流 -2.30 A

输出电压 -15.0 V

输出电流 ≤2.30 A

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 791 mW

漏源极电压Vds 15 V

漏源击穿电压 15 V

连续漏极电流Ids -2.30 A

上升时间 5.5 ns

额定功率Max 791 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 791 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

TPS1101D引脚图与封装图
TPS1101D引脚图
TPS1101D封装图
TPS1101D封装焊盘图
在线购买TPS1101D
型号: TPS1101D
制造商: TI 德州仪器
描述:MOSFET 晶体管,Texas Instruments
替代型号TPS1101D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS1101D

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