TTC0002Q

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TTC0002Q概述

TO-3PL NPN 160V 18A

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

TTC0002Q中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

极性 NPN

耗散功率 180 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 18A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 180 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TTC0002Q
型号: TTC0002Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-3PL NPN 160V 18A

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