TK16E60W,S1VX概述
MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38NC
N-Channel 600V 15.8A Ta 130W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
贸泽:
MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin3+Tab TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin3+Tab TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
TK16E60W,S1VX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 160 mΩ
耗散功率 130 W
阈值电压 2.7V ~ 3.7V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1350pF @300VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 8.59 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
在线购买TK16E60W,S1VX