TISP61089SDR-S

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TISP61089SDR-S概述

Thyristor Surge Protection Devices 100V 11A 8Pin SOIC N T/R

100V 断态 Ipp TVS 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


得捷:
THYRISTOR 100V 30A 8SOIC


贸泽:
SCR Dual P Gate Forward Conducting


艾睿:
Thyristor Surge Protection Devices 100V 11A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Thyristor TSPD 100V 11A 8-Pin SOIC T/R


TISP61089SDR-S中文资料参数规格
技术参数

电容 100 pF

保持电流 150 mA

保持电流Max 150mA Min

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TISP61089SDR-S
型号: TISP61089SDR-S
制造商: Bourns J.W. Miller 伯恩斯
描述:Thyristor Surge Protection Devices 100V 11A 8Pin SOIC N T/R
替代型号TISP61089SDR-S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TISP61089SDR-S

Bourns J.W. Miller 伯恩斯

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