TISP3082F3DR-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

TISP3082F3DR-S概述

低电压双的双向晶闸管过电压保护 LOW-VOLTAGE DUAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

66V Off-State 70A Ipp TVS Thyristor 8-SOIC 0.154", 3.90mm Width

得捷:
THYRISTOR 66V 70A 8SOIC

贸泽:
Sidacs Low Voltage Dual Bidirectional

艾睿:
Thyristor Surge Protection Devices 66V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Thyristor TSPD 66V 4.3A 8-Pin SOIC T/R

Win Source:
PROTECTOR DUAL SYMMETRICAL

TISP3082F3DR-S中文资料参数规格

技术参数

电容 0.15 pF

保持电流 150 mA

保持电流Max 150mA Min

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TISP3082F3DR-S

型号： TISP3082F3DR-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：低电压双的双向晶闸管过电压保护 LOW-VOLTAGE DUAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

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