TISP61511DR-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

TISP61511DR-S概述

双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

100V 断态 Ipp TVS 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

得捷:
THYRISTOR 100V 30A 8SOIC

贸泽:
SCR Dual P Gate Forward Conducting

艾睿:
Thyristor Surge Protection Devices 100V 5A 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Thyristor TSPD 100V 5A 8-Pin SOIC T/R

Win Source:
THYRISTOR 100V 30A

TISP61511DR-S中文资料参数规格

技术参数

保持电流 150 mA

保持电流Max 150mA Min

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TISP61511DR-S

型号： TISP61511DR-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

替代型号TISP61511DR-S