TISP8201MDR-S

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TISP8201MDR-S概述

互补BUFFERED -GATE SCRS用于双极性SLIC过压保护 COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION

120V 断态 Ipp TVS 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


立创商城:
Vs=95V 20mA


得捷:
THYRISTOR 120V 45A 8SOIC


艾睿:
Thyristor Surge Protection Devices 120V 11A 8-Pin SOIC N T/R


Win Source:
THYRISTOR 120V 45A 8SOIC


TISP8201MDR-S中文资料参数规格
技术参数

电容 35 pF

保持电流 20 mA

保持电流Max 20mA Min

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TISP8201MDR-S
型号: TISP8201MDR-S
制造商: Bourns J.W. Miller 伯恩斯
描述:互补BUFFERED -GATE SCRS用于双极性SLIC过压保护 COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION
替代型号TISP8201MDR-S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TISP8201MDR-S

Bourns J.W. Miller 伯恩斯

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TISP8201MDR

伯恩斯

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TISP8201MDR-S和TISP8201MDR的区别

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