THS4120IDG4

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THS4120IDG4中文资料参数规格
技术参数

输出电流 100mA @3.3V

供电电流 11 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 1020 mW

共模抑制比 64 dB

输入补偿漂移 25.0 µV/K

带宽 100 MHz

转换速率 55.0 V/μs

增益频宽积 100 MHz

输入补偿电压 8 mV

输入偏置电流 1.2 pA

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 100 MHz

耗散功率Max 1020 mW

共模抑制比Min 60dB ~ 75dB

电源电压Max 3.5 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

THS4120IDG4引脚图与封装图
THS4120IDG4引脚图
THS4120IDG4封装图
THS4120IDG4封装焊盘图
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型号: THS4120IDG4
制造商: TI 德州仪器
描述:高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS
替代型号THS4120IDG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

THS4120IDG4

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