THS3121IDG4

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THS3121IDG4中文资料参数规格
技术参数

供电电流 7 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 1.05 W

共模抑制比 62 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 130 MHz

转换速率 1.50 kV/μs

增益频宽积 130 MHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 3 µA

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 130 MHz

增益带宽 62 dB

耗散功率Max 1050 mW

共模抑制比Min 62 dB

电源电压Max 30 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

THS3121IDG4引脚图与封装图
THS3121IDG4引脚图
THS3121IDG4封装图
THS3121IDG4封装焊盘图
在线购买THS3121IDG4
型号: THS3121IDG4
制造商: TI 德州仪器
描述:Single, Low Noise, High Output Drive, 475mA Current-Feedback Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃
替代型号THS3121IDG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

THS3121IDG4

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

THS3121ID

德州仪器

完全替代

THS3121IDG4和THS3121ID的区别

THS3121CD

德州仪器

类似代替

THS3121IDG4和THS3121CD的区别

THS3121CDR

德州仪器

类似代替

THS3121IDG4和THS3121CDR的区别

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