TPI12011N

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TPI12011N概述

对于ISDN接口的三极保护 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES

\- 断态 Ipp TVS 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


得捷:
THYRISTOR 30A 8SOIC


立创商城:
Vs=160V 150mA


贸泽:
浪涌抑制器 120V 1mA Bidirect


艾睿:
Thyristor Surge Protection Devices 120V 8A 8-Pin SO N Tube


Win Source:
THYRISTOR 30A 8SOIC


TPI12011N中文资料参数规格
技术参数

电容 150 pF

保持电流 150 mA

保持电流Max 150mA Min

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TPI12011N
型号: TPI12011N
描述:对于ISDN接口的三极保护 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES
替代型号TPI12011N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPI12011N

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

TPI12011NRL

意法半导体

完全替代

TPI12011N和TPI12011NRL的区别

TISP7180F3DR

伯恩斯

功能相似

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