TK40J60UF

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TK40J60UF概述

MOSFET N 沟道 DTMOS 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET ,


欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40J60UF, 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装


贸泽:
MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-3PN


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 320W; TO3PN


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-3PN


TK40J60UF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 320 W

阈值电压 3V ~ 5V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 3400pF @10VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买TK40J60UF
型号: TK40J60UF
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N 沟道 DTMOS 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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