TLC252BCDR

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TLC252BCDR概述

Op Amp Dual GP 16V 8Pin SOIC T/R

CMOS Amplifier 2 Circuit Open Drain 8-SOIC


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps LinCMOS Dual Op Amp


TLC252BCDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1.9 mA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

带宽 12.0 kHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz

输入补偿电压 290 µV

输入偏置电流 0.6 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 2.2 MHz

电源电压Max 16 V

电源电压Min 1.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLC252BCDR引脚图与封装图
TLC252BCDR引脚图
TLC252BCDR封装图
TLC252BCDR封装焊盘图
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型号: TLC252BCDR
制造商: TI 德州仪器
描述:Op Amp Dual GP 16V 8Pin SOIC T/R
替代型号TLC252BCDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLC252BCDR

TI 德州仪器

当前型号

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TLC252BCDG4

德州仪器

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