TPCP8001-HTE85LFM概述
MOSFET MOSFET N-Ch 30V 7.2A Rdson=0.016Ω
N-Channel 30V 7.2A Ta 1W Ta, 30W Tc Surface Mount PS-8 2.9x2.4
得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
贸泽:
MOSFET MOSFET N-Ch 30V 7.2A Rdson=0.016Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.2A 8-Pin PS T/R
TPCP8001-HTE85LFM中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 16 mΩ
耗散功率 1.68 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 640pF @10VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.68 mm
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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